onsemi NSVDTC123JM3T5G - onsemi Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSVDTC123JM3T5G

НСВДТК123JM3T5G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSVDTC123JM3T5G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8
  • Артикул: НСВДТК123JM3T5G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3800

Дополнительная цена:$0,3800

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 5 мА, 10 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 1 мА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА
Мощность - Макс. 260 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-723
Поставщик пакета оборудования СОТ-723
Базовый номер продукта НСВДТК123
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Стандартный пакет 8000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 260 мВт, для поверхностного монтажа SOT-723