Fairchild Semiconductor FGA20S120M
Igbt, 40a, 1200v, n-Kanal
- Проиджоделх: Fairchild Semiconductor
- NoMerPOIзVODITELEL: Fairchild Semiconductor FGA20S120M
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 407
- Sku: FGA20S120M
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Fairchild Semiconductor |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 40 А. |
| Ток - Коллексионер ипюльх (ICM) | 60 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,85 В @ 15 В, 20А |
| Синла - МАКС | 348 Вт |
| Переклхейн | - |
| ТИПВ | Станодаж |
| ЗArAd -vvoROT | 208 NC |
| TD (ON/OFF) @ 25 ° C | - |
| ИСЛОВЕЕ ИСПАН | - |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
| PakeT / KORPUES | TO-3P-3, SC-65-3 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | 12 с |
| Baзowый nomer prodikta | FGA20 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 0000.00.0000 |
| Станодадж | 1 |
Полевое поле IgBT остановка 1200 В 40 A 348 sthereз oTwerSTIEEDO-3P
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F