onsemi NSVMMBTH10LT1G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSVMMBTH10LT1G

НСВММБТХ10LT1G

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSVMMBTH10LT1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6
  • Артикул: НСВММБТХ10LT1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,4200

Дополнительная цена:$0,4200

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 25 В
Частота – переход 650 МГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) -
Прирост -
Мощность - Макс. 225 МВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 60 при 4 мА, 10 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) -
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3 (ТО-236)
Базовый номер продукта НСВМБТХ10
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
ВЧ транзистор NPN 25В 650МГц 225мВт для поверхностного монтажа СОТ-23-3 (ТО-236)