General Semiconductor 2N1054 — General Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Общий полупроводник 2N1054

ТРАНС НПН 115В 1А ТО5

  • Производитель: Общий полупроводник
  • Номер производителя: Общий полупроводник 2N1054
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7980
  • Артикул: 2Н1054
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Общий полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора -
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 115 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 600 мВ при 20 мА, 200 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 5 мкА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 при 200 мА, 6 В
Мощность - Макс. 5 Вт
Частота – переход 8 МГц
Рабочая температура -
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-5
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор 115 В 1 А 8 МГц 5 Вт сквозное отверстие ТО-5