| Параметры |
| Производитель | Общий полупроводник |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | - |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 125 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 6 В при 100 мА, 1 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 при 500 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 20 Вт |
| Частота – переход | 2 МГц |
| Рабочая температура | - |
| Тип монтажа | Крепление шпильки |
| Пакет/ключи | ТО-111-4, Шпилька |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-111 |
| Статус RoHS | Непригодный |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Поставщик не определен |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 19 |
Биполярный (BJT) транзистор 125 В 1 А 2 МГц 20 Вт Крепление на шпильке ТО-111