General Semiconductor 2N2018 - General Semiconductor Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Общий полупроводник 2N2018

ТРАНС НПН 125В 1А ТО111

  • Производитель: Общий полупроводник
  • Номер производителя: Общий полупроводник 2N2018
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1471
  • Артикул: 2Н2018
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $11.4000

Дополнительная цена:$11.4000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Общий полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора -
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 125 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 6 В при 100 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 при 500 мА, 10 В
Мощность - Макс. 20 Вт
Частота – переход 2 МГц
Рабочая температура -
Тип монтажа Крепление шпильки
Пакет/ключи ТО-111-4, Шпилька
Поставщик пакета оборудования ТО-111
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 19
Биполярный (BJT) транзистор 125 В 1 А 2 МГц 20 Вт Крепление на шпильке ТО-111