General Semiconductor 2N5552-1 — General Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Общий полупроводник 2N5552-1

ТРАНС 80В 10А ТО5

  • Производитель: Общий полупроводник
  • Номер производителя: Общий полупроводник 2N5552-1
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4359
  • Артикул: 2Н5552-1
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-205АА, ТО-5-3 Металлическая банка
Поставщик пакета оборудования ТО-5
Статус RoHS Непригодный
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 1
Производитель Общий полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора -
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 500 мВ при 500 мА, 5 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 50 @ 5А, 2В
Мощность - Макс. 15 Вт
Частота – переход 30 МГц
Рабочая температура -
Биполярный (BJT) транзистор 80 В 10 А 30 МГц 15 Вт сквозное отверстие ТО-5