Infineon Technologies BFR193WE6327 — Infineon Technologies Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Инфинеон Технологии BFR193WE6327

ТРАНЗИСТОР ВЫСОКОЙ ЛИНЕЙНОСТИ

  • Производитель: Инфинеон Технологии
  • Номер производителя: Инфинеон Технологии BFR193WE6327
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6231
  • Артикул: BFR193WE6327
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Инфинеон Технологии
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 12 В
Частота – переход 8 ГГц
Коэффициент шума (дБ, тип@f) 1 дБ ~ 1,6 дБ при 900 МГц ~ 1,8 ГГц
Прирост 10,5 дБ ~ 16 дБ
Мощность - Макс. 580мВт
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 70 при 30 мА, 8 В
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 80 мА
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования СОТ-323
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Радиочастотный транзистор NPN 12 В 80 мА 8 ГГц 580 мВт для антенного монтажа SOT-323