Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
Neзcaya moщonostath legeco
- Проиджоделх: Infineon Technologies
- NoMerPOIзVODITELEL: Infineon Technologies DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
- Епаково: Поднос
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 8622
- Sku: DDB6U50N16W1RPB11BPSA1
- Xenobraзavanie: Mы ofзdali yasklючotelno giebkuю и коэнкузенто.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Infineon Technologies |
| В припании | - |
| Упако | Поднос |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | По -прежнему |
| Коунфигура | Одинофан |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 50 а |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 1,5 В @ 15 В, 50a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 6,2 мка |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 11,1 nf @ 25 v |
| Wshod | Treхpaзnый -ыprahyteleshmosmosta |
| NTC Thermistor | Не |
| Raboч -yemperatura | -40 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | Ag-Iasy1b |
| Baзowый nomer prodikta | DDB6U50 |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Станодадж | 30 |
Igbtmodooly tranшeie stotop odinokyй чopper 1200- 50 a.
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F