Парметр |
Млн | Toshiba semiconductor и хraneneee |
В припании | - |
Упако | Lenta и катахка (tr) |
Степень Продукта | Актифен |
Это | 2 npn - prervariotelnonos -smeheenen (dvoйnoй) |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 100 май |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
Rerзystor - baзa (r1) | 2,2KOM |
Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 47komm |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 80 @ 10ma, 5в |
Vce saturation (max) @ ib, ic | 300 м. |
Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
ASTOTA - PRERESHOD | 250 мг |
Синла - МАКС | 200 м |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 6-tssop, SC-88, SOT-363 |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | US6 |
Baзowый nomer prodikta | RN1905 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Станодадж | 3000 |
Prervoritelnonosmeчennnnый-opolairnыйtranзystor (bjt) 2 npn-predvariTolgno-nom-h-hehennannannannannannannannannannannannannannannannannana Повзрослеть