onsemi MMBT5551 — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми MMBT5551

ММБТ5551

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми MMBT5551
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9725
  • Артикул: ММБТ5551
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 600 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 160 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 10 мА, 5 В
Мощность - Макс. 350 мВт
Частота – переход 100 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-236-3, СК-59, СОТ-23-3
Поставщик пакета оборудования СОТ-23-3
Базовый номер продукта ММБТ5551
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 3000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 160 В 600 мА 100 МГц 350 мВт Для поверхностного монтажа SOT-23-3