| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/512 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 1 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 1 В при 100 мА, 1 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 на 100 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 800 мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -55°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-205АД, ТО-39-3 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-39 (ТО-205АД) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 80 В 1 А 800 мВт сквозное отверстие ТО-39 (ТО-205АД)