Технология микрочипа 2N6299E3
2N6299E3
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Технология микрочипа 2N6299E3
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 5947
- Артикул: 2N6299E3
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | PNP - Дарлингтон |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 500 мкА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 80 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 2 В @ 80 мА, 8 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500 мкА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 500 @ 1А, 3В |
| Мощность - Макс. | 64 Вт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-213АА, ТО-66-2 |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-66 (ТО-213АА) |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP — Дарлингтон 80 В 500 мкА 64 Вт сквозное отверстие ТО-66 (ТО-213АА)
