Технология микрочипа 2N6385 — биполярная технология микрочипа (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Микрочиповая технология 2N6385

2N6385

  • Производитель: Микрочиповая технология
  • Номер производителя: Микрочиповая технология 2N6385
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6913
  • Артикул: 2N6385
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $63.2016

Дополнительная цена:$63.2016

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Микрочиповая технология
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора NPN – Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 10 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 80 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 3 В при 100 мА, 10 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 1000 @ 5А, 3В
Мощность - Макс. 6 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура -55°С ~ 175°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-204АА, ТО-3
Поставщик пакета оборудования ТО-204АА (ТО-3)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN — Дарлингтон 80 В 10 А 6 Вт сквозное отверстие ТО-204АА (ТО-3)