| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | P-канал |
| Напряжение – проба (В(BR)GSS) | 30 В |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 1 при мА 5 В |
| Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id | 750 мВ при 1 мкА |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 10пФ при 5В |
| Мощность - Макс. | 300 мВт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, без свинца |
| Поставщик пакета оборудования | УБ |
| Статус REACH | REACH не касается |
| Другие имена | 150-2Н2608УБ/ТР |
| Стандартный пакет | 100 |
JFET P-30 В 300 мВт для поверхностного монтажа UB