| Параметры |
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип полярного транзистора | N-канал |
| Напряжение – проба (В(BR)GSS) | 35 В |
| Напряжение стока к источнику (Vdss) | 35 В |
| Ток-Сток (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 5 при мА 15 В |
| Напряжение – отсечка (VGS выключена) @ Id | 2,5 В при 1 нА |
| Входная емкость (СНПЧ) (макс.) @ Vds | 4пФ @ 15В |
| Мощность - Макс. | 300 мВт |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-206АФ, ТО-72-4 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-72 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 150-2Н4416А |
| Стандартный пакет | 1 |
JFET N-канальный, 35 В, 300 мВт, сквозное отверстие ТО-72