Микрочиповая технология MNS2N3810UP/TR
ДВОЙНОЙ МАЛЫЙ СИГНАЛ BJT
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология MNS2N3810UP/TR
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 3093
- Артикул: MNS2N3810UP/ТР
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/336 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 ПНП (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 50 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 250 мВ при 100 мкА, 1 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 150 при 1 мА, 5 В |
| Мощность - Макс. | 350мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-78-6 Металлическая банка |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-78-6 |
| Базовый номер продукта | 2Н3810 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 150-МНС2Н3810УП/ТР |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной), 60 В, 50 мА, 350 мВт, сквозное отверстие ТО-78-6