Microchip Technology MSCGLQ50DU120CTBL1NG
PM-IGBT-SBD-BL1
- Проиджоделх: ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
- NoMerPOIзVODITELEL: Microchip Technology MSCGLQ50DU120CTBL1NG
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian:-
- ЗapaS: 6764
- Sku: MSCGLQ50DU120CTBL1NG
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю koankurentosposobnuюpolytikue.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| ТИП ИГБТ | - |
| Коунфигура | Поломвинамос |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 1200 |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 110 а |
| Синла - МАКС | 375 Вт |
| Vce (on) (max) @ vge, ic | 2.4V @ 15V, 50a |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 25 мк |
| Odnana emcostath (cies) @ vce | 2,77 NF @ 25 V |
| Wshod | Станода |
| NTC Thermistor | В дар |
| Rraboч -yemperatura | -55 ° C ~ 175 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | ШASCI |
| PakeT / KORPUES | Модул |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | - |
| Baзowый nomer prodikta | MSCGLQ |
| Статус Ройс | Rohs3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0095 |
| Дрогин ИНЕНА | 150-MSCGLQ50DU120CTBL1NG |
| Станодадж | 1 |
Модуль IGBT Half Bridge 1200 V 110 A 375 stkrepleniee шasci
Болх
- Infineon Technologies irgpc40ud2
- Infineon Technologies IRGBC30UD2
- Infineon Technologies IRGBC20FD2
- Infineon Technologies IRGPF50F
- Infineon Technologies IRGPC50F
- Infineon Technologies IRGBC40S
- Infineon Technologies IRGBC30S
- Infineon Technologies IRGPC50UD2
- Infineon Technologies IRGPC50FD2
- Infineon Technologies IRGPC40FD2
- Infineon Technologies IRGPC30FD2
- Infineon Technologies Irgbc20ud2
- Infineon Technologies IRGBC30FD2
- Infineon Technologies IRGPH50F
- Infineon Technologies IRGPH40F