WeEn Semiconductors BUJ403A/DG,127 — WeEn Semiconductors Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

WeEn Semiconductors BUJ403A/DG,127

BUJ403A/ДГ, 127

  • Производитель: ВеЭн Полупроводники
  • Номер производителя: WeEn Semiconductors BUJ403A/DG,127
  • Упаковка: Трубка
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7422
  • Артикул: BUJ403A/ДГ, 127
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3617

Дополнительная цена:$0,3617

Подробности

Теги

Параметры
Производитель ВеЭн Полупроводники
Ряд -
Упаковка Трубка
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 550 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1 В при 400 мА, 2 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 20 при 500 мА, 5 В
Мощность - Макс. 100 Вт
Частота – переход -
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Сквозное отверстие
Пакет/ключи ТО-220-3
Поставщик пакета оборудования ТО-220АБ
Базовый номер продукта BUJ403
Статус RoHS Соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1000
Биполярный (BJT) транзистор NPN 550 В 6 А 100 Вт сквозное отверстие TO-220AB