Микрочиповая технология JANTXV2N3838
JANTXV2N3838
- Производитель: Микрочиповая технология
- Номер производителя: Микрочиповая технология JANTXV2N3838
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация:-
- Запас: 2503
- Артикул: JANTXV2N3838
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | Микрочиповая технология |
| Ряд | Военный, MIL-PRF-19500/421 |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН, ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 600 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 400 мВ при 15 мА, 150 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 10 мкА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 150 мА, 10 В |
| Мощность - Макс. | 350мВт |
| Частота – переход | - |
| Рабочая температура | -65°С ~ 200°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-плоская упаковка |
| Поставщик пакета оборудования | 6-плоская упаковка |
| Базовый номер продукта | 2Н3838 |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 40 В, 600 мА, 350 мВт, для поверхностного монтажа, 6-плоская упаковка