National Semiconductor DS2003TM — National Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Национальный полупроводник DS2003TM

МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР,

  • Производитель: Национальный полупроводник
  • Номер производителя: Национальный полупроводник DS2003TM
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 7850
  • Артикул: DS2003TM
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Национальный полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 7 НПН Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 55В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,6 В @ 500 мкА, 350 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce -
Мощность - Макс. 926 МВт
Частота – переход -
Рабочая температура -40°С ~ 105°С (ТА)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 16-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 16-СОП
Базовый номер продукта ДС2003
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Затронуто REACH
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 7 NPN Дарлингтона 55 В 500 мА 926 мВт для поверхностного монтажа 16-SOP