National Semiconductor DS2004CM — National Semiconductor Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

Национальный полупроводник DS2004CM

МАЛЫЙ СИГНАЛЬНЫЙ БИПОЛЯРНЫЙ ТРАНСИСТОР

  • Производитель: Национальный полупроводник
  • Номер производителя: Национальный полупроводник DS2004CM
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 1
  • Артикул: ДС2004СМ
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,3300

Дополнительная цена:$0,3300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель Национальный полупроводник
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 7 НПН Дарлингтон
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 55В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 1,6 В @ 500 мкА, 350 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500 мкА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce -
Мощность - Макс. 926 МВт
Частота – переход -
Рабочая температура 0°С ~ 85°С
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 16-SOIC (ширина 0,154 дюйма, 3,90 мм)
Поставщик пакета оборудования 16-СОИК
Базовый номер продукта ДС2004
Статус RoHS не соответствует RoHS
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8542.39.0001
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 7 NPN Дарлингтона 55 В 500 мА 926 мВт для поверхностного монтажа 16-SOIC