| Параметры |
| Производитель | Нексперия США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Лента и катушка (TR) |
| Статус продукта | Устаревший |
| Тип транзистора | ПНП — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 2,2 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 10 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 нА |
| Частота – переход | 180 МГц |
| Мощность - Макс. | 340 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж, смачиваемая боковая поверхность |
| Пакет/ключи | 3-XDFN Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | DFN1110D-3 |
| Базовый номер продукта | ПДТК123 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 3 (168 часов) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 5000 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 180 МГц, 340 мВт, для поверхностного монтажа, смачиваемая задняя часть DFN1110D-3