| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 22 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 22 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 50 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 300 мВ @ 500 мкА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Частота – переход | 250 МГц |
| Мощность - Макс. | 300 мВт |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | ТО-226-3, ТО-92-3 Короткий кузов |
| Поставщик пакета оборудования | ТО-92С |
| Базовый номер продукта | НТЕ23 |
| Статус RoHS | Соответствует ROHS3 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ2357 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 100 мА, 250 МГц, 300 мВт, сквозное отверстие TO-92S