Парметр |
Млн | NTE Electronics, Inc. |
В припании | - |
Упако | Симка |
Степень Продукта | Актифен |
Это | Npn |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 20 |
ASTOTA - PRERESHOD | 1,2 -е |
ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 3db @ 200 мг. |
Прирост | 11 дБ |
Синла - МАКС | 1 Вт |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 40 @ 50ma, 15 |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 400 май |
Rraboч -yemperatura | - |
МОНТАНАНГИП | Чereз dыru |
PakeT / KORPUES | 205 годов, 39-3 Металлабанка |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | Не 39 |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.29.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 2368-NTE278 |
Станодар | 1 |
RF Transistor npn 20- 400 май 1,2gц 1 wtreз oTwerStiee-39