| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Частота – переход | 530 МГц |
| Коэффициент шума (дБ, тип@f) | 2,5 дБ при 200 МГц |
| Прирост | 23 дБ |
| Мощность - Макс. | 150 мВт |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 20 @ 2 мА, 10 В |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 20 мА |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-СМД, плоский вывод |
| Поставщик пакета оборудования | 3-СМД |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0095 |
| Другие имена | 2368-НТЭ313 |
| Стандартный пакет | 1 |
Радиочастотный транзистор NPN 30 В 20 мА 530 МГц 150 мВт для поверхностного монтажа 3-SMD