Парметр |
Млн | NTE Electronics, Inc. |
В припании | - |
Упако | Симка |
Степень Продукта | Актифен |
Это | Npn |
Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 15 |
ASTOTA - PRERESHOD | 5 Гер |
ХUMOVAIN -ANVERAIRA (DB TIP @ F) | 2,4 дБ ~ 3 дбри При 500 мг ~ 1 ггц |
Прирост | 18 дБ |
Синла - МАКС | 180 м |
DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 25 @ 14ma, 10 В |
Current - Collector (IC) (MMAKS) | 30 май |
Rraboч -yemperatura | - |
МОНТАНАНГИП | Пефер |
PakeT / KORPUES | 3-SMD, Плоскин С.С. |
ПАКЕТИВАЕТСЯ | 3-SMD |
Статус Ройс | Rohs3 |
Eccn | Ear99 |
Htsus | 8541.21.0095 |
Дрогин ИНЕНА | 2368-NTE65 |
Станодар | 1 |
RF Transistor NPN 15V 30 MMA 5Gц 180 м