| Параметры |
| Производитель | НТЭ Электроникс, Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Сумка |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 5 НПН |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 50 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 24В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 230 мВ при 1 мА, 10 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 500нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 40 при 1 мА, 3 В |
| Мощность - Макс. | 750 мВт |
| Частота – переход | 550 МГц |
| Рабочая температура | -55°С ~ 125°С (ТА) |
| Тип монтажа | Сквозное отверстие |
| Пакет/ключи | 14-ДИП (0,300 дюйма, 7,62 мм) |
| Поставщик пакета оборудования | 14-ПДИП |
| Базовый номер продукта | НТЕ9 |
| Статус RoHS | не соответствует RoHS |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | Информация REACH предоставляется по запросу. |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8542.31.0000 |
| Другие имена | 2368-НТЭ912 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 5 NPN 24 В 50 мА 550 МГц 750 мВт Сквозное отверстие 14-PDIP