NXP Semiconductors BC859BW,115 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors BC859BW,115

NEXPERIA BC859 - ПНП ОБЩИЙ ПУР

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors BC859BW,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8045
  • Артикул: BC859BW, 115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд Автомобильная промышленность, AEC-Q101
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 650 мВ при 5 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 15нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 220 при 2 мА, 5 В
Мощность - Макс. 200 мВт
Частота – переход 100 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-70, СОТ-323
Поставщик пакета оборудования СОТ-323
Уровень чувствительности к влаге (MSL) Поставщик не определен
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-BC859BW,115-954
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 100 мА 100 МГц 200 мВт Для поверхностного монтажа SOT-323