NXP Semiconductors PBSS306NZ,135 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS306NZ,135

Nexperia PBSS306NZ - Маленькая подпись

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS306NZ,135
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 6649
  • Артикул: PBSS306NZ,135
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 5,1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 255 мА, 5,1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 500 мА, 2 В
Мощность - Макс. 700 мВт
Частота – переход 110 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи ТО-261-4, ТО-261АА
Поставщик пакета оборудования СОТ-223
Другие имена 2156-PBSS306NZ,135
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 5,1 А 110 МГц 700 мВт для поверхностного монтажа SOT-223