NXP Semiconductors PBSS4230PAN,115 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS4230PAN,115

NOW NEXPERIA PBSS4230PAN — МАЛЕНЬКИЙ

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS4230PAN,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 2803
  • Артикул: ПБСС4230ПАН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора -
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 290 мВ при 200 мА, 2 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 @ 1А, 2В
Мощность - Макс. 510мВт
Частота – переход 120 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования 6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта ПБСС4230
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 30 В, 2 А, 120 МГц, 510 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)