| Параметры |
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | - |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 290 мВ при 200 мА, 2 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 200 @ 1А, 2В |
| Мощность - Макс. | 510мВт |
| Частота – переход | 120 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 6-УФДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | 6-ХУСОН (2х2) |
| Базовый номер продукта | ПБСС4230 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 30 В, 2 А, 120 МГц, 510 мВт, для поверхностного монтажа, 6-HUSON (2x2)