NXP Semiconductors PBSS5230QAZ
Nexperia pbss5230qa - 30 v, 2 a
- Проиджоделх: Nxp poluprovoDonnyki
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP Semiconductors PBSS5230QAZ
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 554
- Sku: PBSS5230QAZ
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | Nxp poluprovoDonnyki |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Pnp |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 2 а |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 30 |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 210 мВ @ 50ma, 1a |
| Ток - Срел -Коллексионера (МАКС) | 100NA (ICBO) |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 60 @ 2a, 2v |
| Синла - МАКС | 325 м |
| ASTOTA - PRERESHOD | 170 мг |
| Rraboч -yemperatura | 150 ° C (TJ) |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | 3-xdfn otkrыtaiNaiN-o |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | DFN1010D-3 |
| Вернояж | 1 (neograniчennnый) |
| Доусейн Статуса | DOSTISH |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.29.0075 |
| Дрогин ИНЕНА | 2156-PBSS5230QAZ-954 |
| Станодар | 1 |
БИПОЛАРНА (BJT) Трангистор PNP 30 В 2 A 170 MMGц 325 мст
