NXP Semiconductors PBSS5230QAZ
NEXPERIA PBSS5230QA - 30 В, 2 А
- Производитель: НХП Полупроводники
- Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS5230QAZ
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 554
- Артикул: PBSS5230QAZ
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 2 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 210 мВ при 50 мА, 1 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 60 @ 2А, 2В |
| Мощность - Макс. | 325 мВт |
| Частота – переход | 170 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-XDFN Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | DFN1010D-3 |
| Уровень чувствительности к влаге (MSL) | 1 (без блокировки) |
| Статус REACH | REACH не касается |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Другие имена | 2156-ПБСС5230QAZ-954 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 2 А 170 МГц 325 мВт для поверхностного монтажа DFN1010D-3
