| Параметры |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 3 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 30 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 320 мВ при 300 мА, 3 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 175 @ 1А, 2В |
| Мощность - Макс. | 600 мВт |
| Частота – переход | 165 МГц |
| Рабочая температура | 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | 3-УДФН Открытая площадка |
| Поставщик пакета оборудования | DFN2020D-3 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Стандартный пакет | 1 |
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 3 А 165 МГц 600 мВт Для поверхностного монтажа DFN2020D-3