NXP Semiconductors PBSS5330PASX - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS5330PASX

ТЕПЕРЬ NEXPERIA PBSS5330PASX - SMAL

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS5330PASX
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 3879
  • Артикул: PBSS5330PASX
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 3 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 320 мВ при 300 мА, 3 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100 нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 175 @ 1А, 2В
Мощность - Макс. 600 мВт
Частота – переход 165 МГц
Рабочая температура 175°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-УДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования DFN2020D-3
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 1
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Биполярный (BJT) транзистор PNP 30 В 3 А 165 МГц 600 мВт Для поверхностного монтажа DFN2020D-3