NXP Semiconductors PBSS5612PA,115 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS5612PA,115

NEXPERIA PBSS5612PA - МАЛЕНЬКАЯ ЗНАК

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS5612PA,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 99
  • Артикул: ПБСС5612ПА,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1100

Дополнительная цена:$0,1100

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 6 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 12 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 300 мА, 6 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 190 @ 2А, 2В
Мощность - Макс. 2,1 Вт
Частота – переход 60 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 3-PowerUDFN
Поставщик пакета оборудования 3-ХУСОН (2х2)
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПБСС5612ПА,115-954
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор PNP 12 В 6 А 60 МГц 2,1 Вт для поверхностного монтажа 3-HUSON (2x2)