NXP Semiconductors PBSS8110Y,115 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PBSS8110Y,115

NEXPERIA PBSS8110Y - МАЛЕНЬКАЯ СИГНА

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PBSS8110Y,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8241
  • Артикул: ПБСС8110Y,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 1 А
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 100 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 200 мВ при 100 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 при 250 мА, 10 В
Мощность - Макс. 625 мВт
Частота – переход 100 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования 6-ЦСОП
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
Другие имена 2156-ПБСС8110И,115-954
Стандартный пакет 1
Биполярный (BJT) транзистор NPN 100 В 1 А 100 МГц 625 мВт для поверхностного монтажа 6-TSSOP