NXP Semiconductors PDTA123YM,315 - NXP Semiconductors Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP Semiconductors PDTA123YM,315

ТЕПЕРЬ NEXPERIA PDTA123YM — МАЛЕНЬКИЙ S

  • Производитель: НХП Полупроводники
  • Номер производителя: NXP Semiconductors PDTA123YM,315
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6195
  • Артикул: ПДТА123ИМ,315
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель НХП Полупроводники
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора ПНП — предварительный смещенный
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В
Резистор — база (R1) 2,2 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 10 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 35 при 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150 мВ при 500 мкА, 10 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Мощность - Макс. 250 мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-101, СОТ-883
Поставщик пакета оборудования DFN1006-3
Базовый номер продукта ПДТА123
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) PNP — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 250 мВт, для внешнего монтажа DFN1006-3