NXP Semiconductors PDTC115EMB,315
PDTC115E — С НПН-РЕЗИСТОРОМ
- Производитель: НХП Полупроводники
- Номер производителя: NXP Semiconductors PDTC115EMB,315
- Упаковка: Масса
- Техническая спецификация: PDF
- Запас: 189
- Артикул: ПДТК115ЕМБ,315
- Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.
| Параметры | |
|---|---|
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | NPN — предварительный смещенный |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 20 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50 В |
| Резистор — база (R1) | 100 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 100 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 80 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 150 мВ при 250 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА |
| Частота – переход | 230 МГц |
| Мощность - Макс. | 250 мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-101, СОТ-883 |
| Поставщик пакета оборудования | DFN1006B-3 |
| Базовый номер продукта | ПДТК115 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.21.0075 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением 50 В, 20 мА, 230 МГц, 250 мВт, для поверхностного монтажа DFN1006B-3
