| Параметры |                                      
                                                                                                                                                      | Производитель |                                          НХП Полупроводники |                                      
                                                                                                                  | Ряд |                                          - |                                      
                                                                                                                  | Упаковка |                                          Масса |                                      
                                                                                                                  | Статус продукта |                                          Активный |                                      
                                                                                                                  | Тип транзистора |                                          NPN — предварительный смещенный |                                      
                                                                                                                  | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |                                          100 мА |                                      
                                                                                                                  | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) |                                          50 В |                                      
                                                                                                                  | Резистор — база (R1) |                                          22 кОм |                                      
                                                                                                                  | Резистор — база эмиттера (R2) |                                          47 кОм |                                      
                                                                                                                  | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce |                                          80 при 5 мА, 5 В |                                      
                                                                                                                  | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |                                          150 мВ при 500 мкА, 10 мА |                                      
                                                                                                                  | Ток-отсечка коллектора (макс.) |                                          1 мкА |                                      
                                                                                                                  | Мощность - Макс. |                                          250 мВт |                                      
                                                                                                                  | Тип монтажа |                                          Поверхностный монтаж |                                      
                                                                                                                  | Пакет/ключи |                                          СК-101, СОТ-883 |                                      
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования |                                          DFN1006-3 |                                      
                                                                                                                  | Базовый номер продукта |                                          ПДТК124 |                                      
                                                                                                                  | ХТСУС |                                          0000.00.0000 |                                      
                                                                                                                  | Стандартный пакет |                                          1 |                                      
                                                                                                                                      
                                                                           Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) NPN — с предварительным смещением, 50 В, 100 мА, 250 мВт, для поверхностного монтажа DFN1006-3