| Параметры |
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | НПН, ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 40В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 200 мВ при 5 мА, 50 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100нА (ИКБО) |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 при 1 мА, 6 В |
| Мощность - Макс. | 300мВт |
| Частота – переход | 100 МГц |
| Рабочая температура | 150°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СОТ-563, СОТ-666 |
| Поставщик пакета оборудования | СОТ-666 |
| Базовый номер продукта | ПЭМЗ1 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 40 В, 100 мА, 100 МГц, 300 мВт, для внешнего монтажа SOT-666