| Параметры |
| Производитель | НХП Полупроводники |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | ПНП |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 10 А |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 60 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 470 мВ при 1 А, 10 А |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 100 нА |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 120 при 500 мА, 2 В |
| Мощность - Макс. | 1,5 Вт |
| Частота – переход | 85 МГц |
| Рабочая температура | 175°С (ТДж) |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-100, СОТ-669 |
| Поставщик пакета оборудования | ЛФПАК56, Мощность-СО8 |
| ECCN | EAR99 |
| ХТСУС | 8541.29.0075 |
| Стандартный пакет | 1 |
Биполярный (BJT) транзистор PNP 60 В 10 А 85 МГц 1,5 Вт для поверхностного монтажа LFPAK56, Power-SO8