NXP USA Inc. BCM857BV,315 — NXP USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BCM857BV,315

ТЕПЕРЬ NEXPERIA BCM857BV — МАЛЫЙ SI

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BCM857BV,315
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 4950
  • Артикул: БЦМ857БВ,315
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 подобранных пары PNP (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400 мВ при 5 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 15нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 2 мА, 5 В
Мощность - Макс. 300мВт
Частота – переход 175 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования СОТ-666
Базовый номер продукта БЦМ857
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 согласованных пары PNP (двойной) 45 В, 100 мА, 175 МГц, 300 мВт, для поверхностного монтажа SOT-666