NXP USA Inc. BCM857DS115 — NXP USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. BCM857DS115

ПНП/ПНП СОГЛАСОВАННЫЙ ДВОЙНОЙ ТРАНСИСТО

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. BCM857DS115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9206
  • Артикул: BCM857DS115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 подобранных пары PNP (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 45В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400 мВ при 5 мА, 100 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 15нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 200 при 2 мА, 5 В
Мощность - Макс. 380мВт
Частота – переход 175 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-74, СОТ-457
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Базовый номер продукта БЦМ857
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 PNP (двойной) Согласованная пара 45 В, 100 мА, 175 МГц, 380 мВт, для поверхностного монтажа, 6-TSOP