NXP USA Inc. PBSS4130PANP,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PBSS4130PANP,115

СЕЙЧАС NEXPERIA PBSS4130PANP - SMAL

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PBSS4130PANP,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9142
  • Артикул: ПБСС4130ПАНП,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 30 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 100 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 210 при 500 мА, 2 В
Мощность - Макс. 510мВт
Частота – переход 165 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования 6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта ПБСС4130
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 250
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 30 В, 1 А, 165 МГц, 510 мВт, для внешнего монтажа, 6-HUSON (2x2)