| Параметры |                                      
                                                                                                                                                      | Производитель |                                          NXP США Инк. |                                      
                                                                                                                  | Ряд |                                          - |                                      
                                                                                                                  | Упаковка |                                          Масса |                                      
                                                                                                                  | Статус продукта |                                          Активный |                                      
                                                                                                                  | Тип транзистора |                                          2 НПН (двойной) |                                      
                                                                                                                  | Ток-Коллектор (Ic) (Макс) |                                          1А |                                      
                                                                                                                  | Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) |                                          60В |                                      
                                                                                                                  | Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic |                                          120 мВ при 50 мА, 500 мА |                                      
                                                                                                                  | Ток-отсечка коллектора (макс.) |                                          100нА (ИКБО) |                                      
                                                                                                                  | Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce |                                          150 при 500 мА, 2 В |                                      
                                                                                                                  | Мощность - Макс. |                                          510мВт |                                      
                                                                                                                  | Частота – переход |                                          175 МГц |                                      
                                                                                                                  | Рабочая температура |                                          150°С (ТДж) |                                      
                                                                                                                  | Тип монтажа |                                          Поверхностный монтаж |                                      
                                                                                                                  | Пакет/ключи |                                          6-УФДФН Открытая площадка |                                      
                                                                                                                  | Поставщик пакета оборудования |                                          6-ХУСОН (2х2) |                                      
                                                                                                                  | Базовый номер продукта |                                          ПБСС4160 |                                      
                                                                                                                  | ECCN |                                          EAR99 |                                      
                                                                                                                  | ХТСУС |                                          8541.29.0075 |                                      
                                                                                                                  | Стандартный пакет |                                          2314 |                                      
                                                                                                                                      
                                                                           Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 60 В 1 А 175 МГц 510 мВт для поверхностного монтажа 6-HUSON (2x2)