NXP USA Inc. PBSS4160PAN,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PBSS4160PAN,115

NOW NEXPERIA PBSS4160PAN — МАЛЕНЬКИЙ

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PBSS4160PAN,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 22
  • Артикул: ПБСС4160ПАН,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $0,1300

Дополнительная цена:$0,1300

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 НПН (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 120 мВ при 50 мА, 500 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 150 при 500 мА, 2 В
Мощность - Макс. 510мВт
Частота – переход 175 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-УФДФН Открытая площадка
Поставщик пакета оборудования 6-ХУСОН (2х2)
Базовый номер продукта ПБСС4160
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0075
Стандартный пакет 2314
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 60 В 1 А 175 МГц 510 мВт для поверхностного монтажа 6-HUSON (2x2)