NXP USA Inc. PDTB114EUF
Тепрема nexperia pdtb114euf - mamalenkyй
- Проиджоделх: NXP USA Inc.
- NoMerPOIзVODITELEL: NXP USA Inc. PDTB114EUF
- Епаково: МАССА
- Theхniчeskaya opehy-fikaцian: PDF
- ЗapaS: 6037
- Sku: PDTB114EUF
- Xenobraзavanie: Mы ofeзdali yasklючotelno giebkuю ykoankurentosposobnuю цenowuюpolityku.
| Парметр | |
|---|---|
| Млн | NXP USA Inc. |
| В припании | - |
| Упако | МАССА |
| Степень Продукта | Актифен |
| Это | Npn - prervariotelnos -smehenenenenenen |
| Current - Collector (IC) (MMAKS) | 500 май |
| Napraheneee - raзbiroka liзlywelelelelekelekelelelelekeleks | 50 |
| Rerзystor - baзa (r1) | 10 Kohms |
| Rerзystor - osnovanie эmiottera (r2) | 10 Kohms |
| DCTOKKILENEENEEE (hfe) (min) @ ic, vce | 70 @ 50ma, 5 В |
| Vce saturation (max) @ ib, ic | 100 мв 2,5 май, 50 марок |
| Ток - Срел -Коллекжионера (MAKS) | 500NA |
| ASTOTA - PRERESHOD | 140 мг |
| Синла - МАКС | 300 м |
| МОНТАНАНГИП | Пефер |
| PakeT / KORPUES | SC-70, SOT-323 |
| ПАКЕТИВАЕТСЯ | SOT-323 |
| Baзowый nomer prodikta | PDTB114 |
| Eccn | Ear99 |
| Htsus | 8541.21.0075 |
| Станодар | 1 |
Предварительно смеченный биполярный транзистор (BJT) NPN-предварительно смещенная 50 В 500 мА 140 МГц 300 МВт
