NXP USA Inc. PIMH9,115 — NXP USA Inc. Биполярный (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PIMH9,115

СЕЙЧАС NEXPERIA PIMH9 — МАЛЕНЬКАЯ СИГНА

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PIMH9,115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6705
  • Артикул: ПИМХ9 115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Количество:

Цена за единицу: $1,0000

Дополнительная цена:$1,0000

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 NPN — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Резистор — база (R1) 10 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 5 мА, 5 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 100 мВ при 250 мкА, 5 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Частота – переход -
Мощность - Макс. 600мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-74, СОТ-457
Поставщик пакета оборудования 6-ЦОП
Базовый номер продукта ПИМХ9
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 1
предполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 600 мВт, для поверхностного монтажа, 6-TSOP