| Параметры |
| Производитель | NXP США Инк. |
| Ряд | - |
| Упаковка | Масса |
| Статус продукта | Активный |
| Тип транзистора | 2 NPN — с предварительным смещением (двойной) |
| Ток-Коллектор (Ic) (Макс) | 100 мА |
| Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) | 50В |
| Резистор — база (R1) | 10 кОм |
| Резистор — база эмиттера (R2) | 47 кОм |
| Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce | 100 при 5 мА, 5 В |
| Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic | 100 мВ при 250 мкА, 5 мА |
| Ток-отсечка коллектора (макс.) | 1 мкА |
| Частота – переход | - |
| Мощность - Макс. | 600мВт |
| Тип монтажа | Поверхностный монтаж |
| Пакет/ключи | СК-74, СОТ-457 |
| Поставщик пакета оборудования | 6-ЦОП |
| Базовый номер продукта | ПИМХ9 |
| ХТСУС | 0000.00.0000 |
| Стандартный пакет | 1 |
предполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 2 NPN — сварным смещением (двойной) 50 В, 100 мА, 600 мВт, для поверхностного монтажа, 6-TSOP