NXP USA Inc. PMBT3946YPN,125 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PMBT3946YPN,125

ТЕПЕРЬ NEXPERIA PMBT3946YPN — МАЛЕНЬКИЙ

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PMBT3946YPN,125
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 9342
  • Артикул: PMBT3946YPN,125
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Статус продукта Активный
Тип транзистора НПН, ПНП
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 200 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 40В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 300 мВ при 5 мА, 50 мА / 400 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 50нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 100 при 10 мА, 1 В
Мощность - Макс. 350мВт
Частота – переход 300 МГц, 250 МГц
Рабочая температура 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования СОТ-363
Базовый номер продукта PMBT3946
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0075
Стандартный пакет 1
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Биполярная (BJT) транзисторная матрица NPN, PNP 40 В, 200 мА, 300 МГц, 250 МГц, 350 мВт, для поверхностного монтажа SOT-363