NXP USA Inc. PUMF12,115 - NXP USA Inc. Биполярный (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

NXP USA Inc. PUMF12 115

СЕЙЧАС NEXPERIA PUMF12 - SC-88

  • Производитель: NXP США Инк.
  • Номер производителя: NXP USA Inc. PUMF12 115
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 2222
  • Артикул: ПУМФ12,115
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель NXP США Инк.
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Активный
Тип транзистора 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В, 40В
Резистор — база (R1) 22 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) 47 кОм
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 5 мА, 5 В / 120 при 1 мА, 6 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 150 мВ при 500 мкА, 10 мА / 200 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 1 мкА
Частота – переход 100 МГц
Мощность - Макс. 300мВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи 6-ЦСОП, СК-88, СОТ-363
Поставщик пакета оборудования 6-ЦСОП
Базовый номер продукта ПУМФ12
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 0000.00.0000
Стандартный пакет 3000
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN с предварительным смещением, 1 PNP 50 В, 40 В 100 мА 100 МГц 300 мВт Для внешнего монтажа 6-TSSOP