onsemi EMF5XV6T1G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми EMF5XV6T1G

ТРАНС ПРЕБИАС 1NPN 1PNP SOT563

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми EMF5XV6T1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 8848
  • Артикул: ЭМФ5XV6T1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд ЭДС
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора 1 НПН, 1 ПНП — с предварительным смещением (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА, 500 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50 В, 12 В
Резистор — база (R1) 47 кОм
Резистор — база эмиттера (R2) -
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 80 при 5 мА, 10 В / 270 при 10 мА, 2 В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 300 мкА, 10 мА / 250 мВ при 10 мА, 200 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500 наА, 100 наА (ИКБО)
Частота – переход -
Мощность - Макс. 357 МВт
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования СОТ-563
Базовый номер продукта ЭМФ5XV
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 488-EMF5XV6T1GTR
Стандартный пакет 1
Биполярный транзистор с предварительным смещением (BJT) 1 NPN, 1 PNP — с предварительным смещением (двойной) 50 В, 12 В, 100 мА, 500 мА, 357 мВт, для внешнего монтажа SOT-563