onsemi EMX2DXV6T1G — onsemi Bipolar (BJT) — спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми EMX2DXV6T1G

ТРАНС 2НПН 50В 0,1А СОТ563

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми EMX2DXV6T1G
  • Упаковка: Лента и катушка (TR)
  • Техническая спецификация: PDF
  • Запас: 6070
  • Артикул: ЕМХ2DXV6T1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Лента и катушка (TR)
Статус продукта Активный
Тип транзистора 2 НПН (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс) 100 мА
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 50В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 400 мВ при 5 мА, 50 мА
Ток-отсечка коллектора (макс.) 500нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 120 при 1 мА, 6 В
Мощность - Макс. 357 МВт
Частота – переход 180 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СОТ-563, СОТ-666
Поставщик пакета оборудования СОТ-563
Базовый номер продукта ЕМХ2DXV6
Статус RoHS Соответствует ROHS3
Уровень чувствительности к влаге (MSL) 1 (без блокировки)
Статус REACH REACH не касается
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.21.0095
Другие имена 488-EMX2DXV6T1GTR
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 50 В, 100 мА, 180 МГц, 357 мВт, для поверхностного монтажа SOT-563