onsemi NSS60101DMR6T1G - onsemi Bipolar (BJT) - спецификация, дистрибьютор чипов, быстрое предложение, гарантия 365 дней
product_banner

онсеми NSS60101DMR6T1G

NSS60101DMR6T1G - 60 В, 1 А, НИЗКИЙ

  • Производитель: онсеми
  • Номер производителя: онсеми NSS60101DMR6T1G
  • Упаковка: Масса
  • Техническая спецификация:-
  • Запас: 3213
  • Артикул: НСС60101DMR6T1G
  • Цены:мы придерживаемся исключительно гибкой и конкурентной ценовой политики.

Подробности

Теги

Параметры
Производитель онсеми
Ряд -
Упаковка Масса
Статус продукта Устаревший
Тип транзистора 2 НПН (двойной)
Ток-Коллектор (Ic) (Макс)
Напряжение – пробой коллектор-эмиттер (макс.) 60В
Насыщение Vce (макс.) @ Ib, Ic 250 мВ при 50 мА, 1 А
Ток-отсечка коллектора (макс.) 100нА (ИКБО)
Коэффициент усиления постоянного тока (hFE) (мин) @ Ic, Vce 250 при 100 мА, 5 В
Мощность - Макс. 400мВт
Частота – переход 200 МГц
Рабочая температура -55°С ~ 150°С (ТДж)
Тип монтажа Поверхностный монтаж
Пакет/ключи СК-74, СОТ-457
Поставщик пакета оборудования СК-74
Базовый номер продукта НСС60101
Статус RoHS не соответствует RoHS
Статус REACH Поставщик не определен
ECCN EAR99
ХТСУС 8541.29.0095
Стандартный пакет 1
Биполярная (BJT) транзисторная матрица 2 NPN (двойной) 60 В 1 А 200 МГц 400 мВт для поверхностного монтажа SC-74